IT之家 5 月 7 日消息，硅来半导体 (Si LAI) 在 4 月下旬于武汉举行的 2026 九峰山论坛上发布了新一代 10min / 片碳化硅 (SiC) 激光隐切设备。其面向 8/12 英寸 SiC 晶锭加工，相较上代设备（15min / 片）提速 50%。

硅来半导体表示，其新一代 10min / 片激光隐切机台在缩短切割用时的同时继续控制剥离效果和后续分片一致性，且尽量不压缩磨抛、外延等后道工艺窗口，效率的提升并没有以工程稳定性为代价，量产良率＞98%。

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