IT之家 11 月 14 日消息，TrendForce 集邦咨询昨日表示，根据该机构的调查，存储产业 2026 年资本支出整体来看仍显保守，这意味着明年 DRAM 和 NAND 的比特（容量）产出提升受到的支持有限，供小于求的局面不会发生决定性变化。

尤其是在 DRAM 内存领域，虽然三星电子和 SK 海力士仍有小幅扩大产线的机会，但美光想要扩产必须要等到其美国爱达荷州博伊西 ID1 新晶圆厂落成。而在 NAND 端，铠侠-闪迪、美光均将大力投资，但三星电子和 SK 系则会按兵不动。

机构预计，2026 年 DRAM 产业资本支出有望同比增长 14% 到 613 亿美元（IT之家注：现汇率约合 4352.55 亿元人民币）；NAND 产业资本支出则有望在明年增长 5% 到 222 亿美元（现汇率约合 1576.29 亿元人民币）。

整体来看，几大存储原厂的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合，聚焦 HBM 等高附加价值产品。

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