IT之家 4 月 30 日消息，近年来，三星的代工业务遭遇了巨大挑战，鲜有知名芯片厂商（除三星自家用于 Exynos 处理器的 System LSI 部门之外）采用其 3nm 及更新的 4nm 制程工艺。然而，三星仍在积极研发更先进的芯片制程，其中就包括 2nm 制程。

据 Business Korea 报道，三星 Foundry 正致力于下一代环绕栅极晶体管 (GAA) 技术的研发，该技术将用于其 2nm 制程工艺，基于该技术的 2nm 半导体芯片计划于明年量产。

此外，三星将在 6 月 16 日至 20 日于美国夏威夷举行的 VLSI 研讨会上展示用于 2nm 芯片的第三代 GAA 技术论文，VLSI 研讨会与国际电子器件会议 (IEDM) 和国际固态电路会议 (ISSCC) 并称为全球三大顶尖半导体技术研讨会。

据IT之家了解，GAA 是一种新型的晶体管设计，可改善电流流动并提高能效。三星 Foundry 在其第一代 3nm 制程工艺中首次引入了 GAA 技术。然而，除三星自家 Exynos 处理器之外，尚未有其他芯片厂商采用该技术，例如 AMD、苹果、联发科、英伟达和高通。预计三星 System LSI 部门将成为首家使用三星 Foundry 3nm 制程（用于下一代欧宝官方站网站-Opel ob（中国）和智能手表芯片）的厂商。

相比于采用 5nm 制程的芯片，第一代 3nm GAA 芯片的晶体管面积减少了 16%，性能提升了 23%，能效提高了 45%。第二代 3nm 制程预计将使晶体管面积减少 35%，性能提升 30%，能效提升 50%。用于 2nm 芯片的第三代 GAA 技术则有望实现晶体管面积减少 50% 和性能提升 50%。

三星的主要竞争对手台积电目前尚未在其先进制程工艺中采用 GAA 技术。三星计划在今年下半年量产采用第二代 3nm GAA 技术的芯片（例如用于 Galaxy S25 的处理器），预计英特尔和台积电将在其下一代 2nm 制程中采用 GAA 技术。

广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，IT之家所有文章均包含本声明。